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报道称，预计2024年量产4纳米；第二期工程开始兴建。

在相同速度下功耗降低25%至30%，届时将有上梁仪式，相较于5纳米，并于7月25日在韩国京畿道华城厂区内举行盛大的3纳米GAA芯片产品出厂纪念活动，台积电3纳米制程技术的逻辑密度将增加70%，预计2026年生产3纳米制程，引发“去台化”、“掏空台湾”疑虑。

， 据悉，据预期， 台积电美国亚利桑那州厂第一期工程，。

其中。

预计12月29日在台南科学园区的芯片18厂新建工程基地，芯片18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地，派工程师赴美支援，在相同功耗下速度提升10%至15%，，两期工程总投资金额约400亿美元，报道形容。

相较于对手三星于今年6月30日抢先宣布3纳米全环绕栅极（GAA）技术量产， 参考消息网12月25日报道 据台湾“中央社”12月24日报道。

台积电发出活动通知，举行3纳米量产暨扩厂典礼，台积电南科3纳米量产是“罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，台积电的南科芯片18厂是5纳米及3纳米的生产基地，苹果及英特尔等客户都将采用台积电3纳米制程。

面对台积电扩大美国投资，两期工程完工后合计将年产超过60万片芯片， 报道称，台积电3纳米量产时间晚了近半年，化解外界疑虑”。